所属领域
电子应用
金属膜电阻器
Metal Film Resistor
简介
金属膜电阻器就是以特种金属或合金作电阻材料，用真空蒸发或溅射的方法，在陶瓷或玻璃基本上形成电阻膜层的电阻器。
这类电阻器一般采用真空蒸发工艺制得，即在真空中加热合金，合金蒸发，使瓷棒表面形成一层导电金属膜。刻槽和改变金属膜厚度可以控制阻值。
电阻材料通常是镍铬（NiCr），但对于特殊应用，使用其他合金，例如锡和锑、金和铂和氮化钽。稳定性和电阻很大程度上取决于金属膜的厚度（50-250 nm）。较厚的层提供更好的稳定性和更低的电阻值。 金属膜电阻器的制造工艺比较灵活，不仅可以调整它的材料成分和膜层厚度，也可通过刻槽调整阻值，因而可以制成性能良好，阻值范围较宽的电阻器。
”金属膜电阻器“这个术语通常指一种插件(圆柱形轴向)电阻器。如下图：
金属膜电阻器的构造
但是，也可以采用这种工艺做成片式薄膜电阻器(Thin Chip Resistor)和无引脚的MELF电阻器。
金属氧化膜电阻器的主要特点
优点：
良好的精度(容差)
TCR特性好
低噪声特性和高线性度
缺点：
与绕线电阻器或碳成分电阻器相比，更容易受到电压浪涌和功率过载的损坏
金属氧化膜电阻器 vs 金属膜电阻器
脉冲处理能力、高温性能、额定电压、额定功率、浪涌能力、过载能力
金属氧化膜电阻器 > 金属膜电阻器
常温稳定性、精度
金属氧化膜电阻器 < 金属膜电阻器
典型参数
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常规插件电阻
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片式电阻
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MELF电阻
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| 额定功率 P70 [W] | 0.05 ~ 3 | 0.13 ~ 1 |
0.2 ~ 1 |
| 阻值范围 | 100mΩ ~ 10MΩ |
100mΩ ~ 10MΩ |
0.16Ω ~ 10MΩ |
| 温度系数 [ppm/K] | ±5 ~ ±600 | ±2 ~ ±50 |
±5 ~ ±100 |
| 精度[%] | ±0.01 ~ ±10 |
±0.02 ~ ±1 |
±0.02 ~ ±5 |
| 最高工作温度 [°C] | +175 | +175 | +175 |
| 工作电压 Umax.[V] | 200 ~ 750 | 25 ~ 1000 |
150 ~ 1000 |
| 示例图片 |
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